SOI |
Silicon on Insulator. Bei diesem Verfahren wird eine dünne Oxid-Schicht als Isolator unterhalb des eigentlichen Transistors eingeschoben. Damit kann eine vollständige dielektrische Isolation erreicht werden, was die Leckströme reduziert. Chips mit SOI benötigen daher weniger Energie als herkömmlich gefertigte. |