eDRAM bis 120MB auf CPU

IBM präsentierte auf der Solid State Circuits Conference (ISSCC) ihre On-Chip-Hauptspeichertechnologie namens eDRAM (embedded dynamic random access memory). Mittels IBMs Silicon-on-Insulator-Verfahren könnten die CPU-Caches bis zu 3x so groß werden, wie heute.

Dies soll ein Schlüsselmerkmal der 45-Nanometer-Prozessor-Roadmap von IBM sein. Diese neue Technologie benötigt nur ein Drittel des Platzes und ein Fünftel der Standby-Energie von heutigen on DIE Caches. Alleinig die Zugriffszeiten sind etwas schlechter, als heutiger SRAM.

Mit eDRAM könnte der L2-Cache von Core 2 Duo Prozessoren statt 4 MB auf 20 MB vergrößert werden. Bei Dual Core Itanium Prozessoren wären sogar 120 MB erreichbar. Durch die langsamere Geschwindigkeit, würde er sich besonders für L3-Caches eignen. Durch den hohen Takt, wird bei L1-Caches nach wie vor kein Weg um SRAM vorbei führen.

Computerbase

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