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AMD setzt strained silicon ein

JC 20.08.2004 - 11:02 1788 9
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JC

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Nach Intel und IBM geht nun auch AMD daran, so genanntes strained silicon zu verwenden. Bei strained silicon handelt es sich um ein Verfahren, mit dem Silizium ein wenig gestreckt wird. Durch den etwas größeren Abstand der Atome nimmt die Beweglichkeit der Elektronen zu, womit sich der Takt weiter erhöhen lässt. Sowohl Intel als auch IBM verwenden dazu eine SiGe-Schicht (Silizium-Germanium).
Obwohl nocht nicht allzuviel über AMDs Verfahren bekannt ist, scheint es begrenzt zu sein und nur auf bestimmte Teile des Chips angewendet werden. Inwiefern sich dieser Prozess auf die Leistung auswirkt ist noch nicht bekannt. Klar ist nur, dass AMD strained silicon in alle 90nm-Chips implementiert und es auch in den 130nm-Chips, die dieses Quartal releast werden, zur Anwendung kommt.

The Red Guy

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Irgendeinen Vorteil muss es ja haben, sonst würden es die Hersteller nicht machen.

Beim Wort "gestreckt" musste ich irgendwie zuerst ans Strecken von Drogen denken.... :)

SYSMATRIX

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ja, AMD hat jetzt auf einmal doch funktionierende 90nm fertigung.

moep

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Zitat von The Red Guy
Irgendeinen Vorteil muss es ja haben, sonst würden es die Hersteller nicht machen.

Beim Wort "gestreckt" musste ich irgendwie zuerst ans Strecken von Drogen denken.... :)

Als ich zum ersten Mal von der Technik gehört habe, hab ich mir das selbe gedacht... dabei wird das Material nicht mit irgendwelchen anderen Stoffen "vermischt" sondern physikalisch auseinandergezogen.

Wie auch immer, momentan scheint's so als würde AMD Intel immer weiter auf und davon laufen... bin gespannt wann sich die Blue-Man Group wieder was ordentliches einfallen lässt... ich halte ihnen trotzdem die Stange. ;)

spunz

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Zitat von moep
Wie auch immer, momentan scheint's so als würde AMD Intel immer weiter auf und davon laufen... bin gespannt wann sich die Blue-Man Group wieder was ordentliches einfallen lässt... ich halte ihnen trotzdem die Stange. ;)

Zitat
Nach Intel und IBM

amd VOR intel?

SYSMATRIX

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SSDOI setzt IBM schon angeblich ein (G5 fertigung -> gibt aber troubles)


intel verwendet teilweise nichtmal SOI (nicht notwendig)

as said:
opteron = 9 layer metal interconnect 130nm SOI CMOS (193mm² die)
nocona/prescott = 90nm bulk CMOS, 6 Layer metal interconnect (112mm² die)

nocona/prescott kosten ca 1/3 der fertigungskosten eines opteron


aber ich kann mir nicht vorstellen daß AMD oder IBM (von denen sie die SS IP ja haben) vor intel mit irgendwas fertigungsprozess relevantem vorraus oder on par sein können, schließlich war und ist und wird immer intel jedem anderen halbleiterhersteller im fertigungsprozess um eonen vorraus sein.

JC

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AFAIK war IBM der erste Hersteller, der strained silicon implementiert hat :)

SYSMATRIX

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ja, nur hauts ned hin bei den 90nm


wenn eine halbleiterfabrik in der eröffnung ned an die 2 mrd € kosten würde und in der jährlichen unterhaltung nochmal 100mio dann würd ich glatt eine aufmachen und paar G5 herstellen ;)



apple würde für die 1.8er und 2.0er PPC970 bares gold eintauschen ;)

JC

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Wie wär's mit einem Kredit? :p

BTW, vielleicht weißt du da mehr: AMD hat doch mit AmberWave (MIT-Spin-Off) zusammengearbeitet. Diese wollen doch angeblich einen ziemlich interessanten Prozess entwickelt haben, der besser als der von Intel sein soll (ich hab letztes Jahr mal was bei heise davon gelesen).

Wie auch immer, Fertigung mit gedehntem Silizium ist nur etwa zwei Prozent teurer und ich bin schon neugierig, wie sich "localized straining" denn nun auswirkt :D

3N54

Bring the Thunder
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ich schätze das diese technik hotspots einschränken bzw. "abkühlen" soll :) weil wenns sie's nur punktuell einsetzen kann ich mir nix anderes vorstellen
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