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Dothan zu Jahresende?

JC 08.10.2003 - 17:35 3457 9
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JC

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Diesem Bericht bei DigiTimes zufolge hat Intel bestätigt, dass mit Jahresende Dothan-CPUs ausgeliefert werden sollen. Mit einer breiten Verfügbarkeit wird im Jänner oder Februar 2004 gerechnet; erste Produkte werden wohl von Dell, Acer, Asus und AOpen auf den Markt kommen.
In der zweiten Jahreshälfte wird Intel den Nachfolger der Centrino-Plattform, welche den Namen Sonoma trägt, vorstellen. Während die ersten Dothan-Notebooks noch mit den aktuellen Chipsätzen ausgeliefert werden, wird Sonoma auf dem Dothan und dem Alviso-Chipsatz basieren. Im Vergleich zum Banias, dem gegenwärtigen Pentium M Prozessor, wird der Dothan mit dem 0,09-Mikron Fertigungsprozess hergestellt und kommt deshalb mit höheren Taktraten; der L2-Cache wird mit 2 MB beziffert.

pippo

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Mal schaun, bisher sagen sie ja auchnoch, dass sie den Prescott rechtzeitig releasen, was ja wohl nichtmehr der Fall sein wird. Es wurde ja mal berichtet, dass er doch verschoben werden soll, weil es noch Probleme mit 90nm und SS gibt. Wäre ja interessant wie hoch dann die Verlustleistung beziffert wird

3SP

fliegt!
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der wird ja mächtig ownen :eek:


werden sich die preise der centrino(kommende sonoma) ändern?

mfg

ICE3D

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2MB L2 Cache :eek:

Wird dann Zeit, dass ich mir ein Notebook zulege :)

3SP

fliegt!
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Zitat von ICE3D
2MB L2 Cache :eek:

Wird dann Zeit, dass ich mir ein Notebook zulege :)


die 1mb l2 vom banias sind auch ned zu verachten...

Baxter20

Big d00d
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langsam wird ma bei den ganzen utopischen namen übel :D

ICE3D

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Naja, alles braucht mal einen Codenamen ;) ... aber ich muss dir recht geben...

Aber back On Topic:
2MB L2 Cache sind schon ein Wahnsinn imho. Bin schon auf die Performance gespannt :)

bockemon

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Konn mir jemand erklären was SS eigentlich macht, und was
da der Unterschied zu SSE ist?

TOM

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2mb l2 cache.... hui

ob da im DIE noch platz für was anderes ausser l2 cache is :D

pippo

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@ bockemon

SS is einfach nur ne Abkürzung von mir :) Soll "Strained Silicon" heißen, zu Deutsch: gestrecktes Silicon. Dadurch sollen wie bei SOI die Leckströme gemindert werden
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